SAMSUNG PM981 SSD 256 Go M.2 NVME PCIe 3.0 2280 MLC 3D-NAND DISQUE SOLIDE État : remis à neuf de catégorie A Variantes : 256 Go 512 Go 1 To 2 To Surprovisionnement : 17,6 Go / 7,4 % Numéro de pièce : MZVLB256HAHQ-00000/07. Facteur de forme : M.2 2280 (simple face) Consommation d'énergie : inconnue (inactif) Architecture : ARM Cortex-R7 32 bits Caractéristiques du contrôleur : DRAM (activé) Matrices par puce : 4 matrices à 256 Gbit Lignes de mots : 72 par chaîne NAND Temps de programme (tProg) : 700 µs Temps d'effacement de bloc (tBERS) : 3,5 ms Lecture séquentielle : 3 000 Mo/s Écriture séquentielle : 1 300 Mo/s Lecture aléatoire : 130 000 IOPS Écriture aléatoire : 310 000 IOPS Cache d'écriture SLC : env.